微波材料學工作站--微波等離子化學氣相沉積系統

主要用途：
★該系統既可用作傳統的化學氣相沉積設備，又可用作微波能化學氣相沉積設備，同時又是微波等離子化學氣相沉積設備
★主要為應用在半導體, 大范圍的絕緣材料，大多數金屬材料和金屬合金材料，石墨烯、納米材料、碳纖維、碳化硅、鍍膜等新材料新工藝領域
★該款具有高電離、高電子溫度和電子密度、適用壓強范圍寬、無內部電極污染等優異性能，微波等離子體在材料表面處理、金剛石薄膜制備、
化學氣相沉積、刻蝕以及甲烷轉化制氫、長余輝發光材料、陶瓷燒結、碳納米管修飾［3］、納米粉體合成、處理水污染等領域

產品特點：
★垂直反應器的設計可使等離子高密度；對稱的微波發生器裝置，使產生的等離子環境更均勻
★諧振腔內沒有內部電極，可以避免電極放電所產生的污染，而且，它的運行氣壓范圍比較寬，所產生等離子體密度高、區域大，
    穩定性高，且不與真空器接觸，從而避免了器壁對薄膜的污染
★操作便捷：氣路連接方式采用了KF快速連接法蘭結構，使取放物料過程簡化，只需一支卡箍便可完成氣路連接，方便操作，
     取消了復雜的法蘭安裝過程，減少了安裝造成的損壞
★多功能：4種加熱方式可選可變：微波等離子、純微波、傳統電加熱、混合加熱；適應包括金屬與合金在內非易燃的任何樣品的熱處理
★雙溫區結構：上部等離子區或加熱區下部樣品臺加熱區
★開發的微波場傳感器，精準控溫
★安全：采用防止泄漏的聯鎖保護屏蔽措施安全可靠的微波屏蔽腔體設計，多重防泄漏保護
*標配裝有專業微波抑制器
*內置微波泄漏傳感器
★節能：使用壽命長：磁控管微波加熱，避免和解決了傳統的加熱絲、硅碳棒、硅鉬棒等加熱元件容易損壞的問題，也避免了因加熱元件
    損壞而造成的時間、實驗進度、維修費用等各種損失
★采用無級可調、高穩定度長壽命、連續波微波源，確保設備能夠連續穩定長時間運行
★嵌入式微機一體化溫度控制系統；實現穩定性控溫
★無須烘爐過程：爐腔整體自身發熱，加熱均勻
★微波能量即開即有,無熱慣性,易于控制溫度
★配有萬向輪調節底腳，方便移動和固定

技術參數：

型號/model	WBDQC-4
可加熱材料	非易燃易爆的任何材料
微波頻率	2.45GHZ±50MHz
加熱方式	等離子加熱、純微波加熱、傳統電加熱、混合加熱
大功率/ KW(連續、可調)	4
樣品腔長度	標配100mm可根據用戶需求訂制
加熱樣品腔(材質)	石英管（微波等離子工作模式）	石英管&剛玉管（其它加熱方式）
控溫范圍/℃	1100℃石英樣品腔直徑：Φ45mm、Φ60mm、Φ100 mm 可選；	1500℃剛玉樣品腔直徑：Φ45mm、Φ60mm 可選；
溫度測試元件	微波場傳感器
溫度分辨率/℃	0.1
樣品臺溫度范圍	室溫-1200℃、更高溫度可選配
控溫精度/℃	1200℃以下±1；1200℃以上±2℃
溫度偏差/℃
溫度穩定波動度/℃
冷卻方式	風冷
恒溫區長度/mm	標配100mm可根據用戶需求訂制
升溫速率(標配)	0～200℃/min（微波等離子工作模式除外） 任意設定，可編程、分段加熱
溫度控制方式	10段可設工藝參數，7寸觸摸屏操作，帶數據存儲功能；提供手動、自動、恒溫控制模式，曲線實時顯示
控制氣體	控制氣體：H2、CH4、Ar、N 2 、其它氣體可選
流量控制	標配 2 套質量流量控制器：七星華創（真空保護閥門后置，匹配真空模式）；精度：0.8%
大耐壓	1MPa；控制響應時間：10ms
真空系統真空泵	RVP2008；壓力范圍：10 -3 Torr~760 Torr 大抽速：8.5m 3 /h
真空計	數顯真空計：1atm-10 -1 Pa
標配	質量流量自動控制系統配備控制計算機及控制軟件，可以內置實時顯示和保存生長參數
氣路其他配置	氣柜、氣路及閥門等
端口	不銹鋼 KF50 法蘭接口
電源電壓（V）	220
微波泄漏量/ mW/㎝2	≤0.4
外型尺寸（長´寬´高）/mm	1100×750×1900

選配功能：
質量流量控制系統；美國Alicat質量流量&控制器