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蔡司EVO鎢燈絲掃描電鏡 掃描電鏡（SEM）廣泛地應用于金屬材料（鋼鐵、冶金、有色、機械加工）和非金屬材料（化學、化工、石油、地質(zhì)礦物學、橡膠、紡織、水泥、玻璃纖維）等檢驗和研究。在材料科學、金屬材料、陶瓷材料半導體材料、化學材料等領域，進行材料的微觀形貌、組織、成分分析。各種材料的形貌組織觀察，材料斷口分析和失效分析，材料實時微區(qū)成分分析，元素定量、定性成分分析，快速的多元素面掃描和線掃描分布測量，晶體/晶粒的相鑒定，晶粒尺寸、形狀分析，晶體、晶粒取向測量。 產(chǎn)品特點：光源：鎢燈絲。加速電壓：范圍200V－30kV，10V步進連續(xù)可調(diào)。放大倍數(shù)：7×~1,000,000×，連續(xù)可調(diào)。分辨率：高真空二次電子像3.0nm（30kV） 聯(lián)系我們
設備主要用途
掃描電鏡是以電子束作為光源，電子束在加速電壓的作用下經(jīng)過三級電磁透鏡，在末級透鏡上部掃描線圈的作用下，在試樣表面做光柵狀掃描，產(chǎn)生各種同試樣性質(zhì)有關的物理信息（如二次電子，背反射電子），然后加以收集和處理，從而獲得表征試樣形貌的掃描電子像。
掃描電鏡（SEM）廣泛地應用于金屬材料（鋼鐵、冶金、有色、機械加工）和非金屬材料（化學、化工、石油、地質(zhì)礦物學、橡膠、紡織、水泥、玻璃纖維）等檢驗和研究。在材料科學、金屬材料、陶瓷材料半導體材料、化學材料等領域，進行材料的微觀形貌、組織、成分分析。各種材料的形貌組織觀察，材料斷口分析和失效分析，材料實時微區(qū)成分分析，元素定量、定性成分分析，快速的多元素面掃描和線掃描分布測量，晶體/晶粒的相鑒定，晶粒尺寸、形狀分析，晶體、晶粒取向測量。
能譜儀：即X射線能量色散譜儀,簡稱EDS主要是用來分析材料表面微區(qū)的化學成分,分析方式有定點定性分析、定點定量分析、元素的線分布、元素的面分布。
（1）光源：鎢燈絲。
（2）加速電壓：范圍200V－30kV，10V步進連續(xù)可調(diào)。
（3）放大倍數(shù)：7×~1,000,000×，連續(xù)可調(diào)。
（4）分辨率：高真空二次電子像3.0nm（30kV）；
（5）探針電流范圍：0.5 pA~5 μA，連續(xù)可調(diào)。
（6）聚焦工作距離范圍：2mm~100mm。
（7）樣品室結構：圓柱形、厚壁、整體結構樣品室
（8）樣品室內(nèi)部尺寸：不小于310mm(φ)×220mm(H)。可放置的樣品尺寸直徑不小于200mm，高度不小于100mm。
（9）允許樣品重量：不小于5kg。
（10）樣品臺：必須為五軸優(yōu)中心馬達驅(qū)動。樣品臺移動范圍X≥80mm, Y≥100mm, Z≥35mm,-10°~+90°傾斜，360°旋轉(zhuǎn) 。
（11）能譜儀工作條件：工作距離不大于8.5 mm，X射線出射角35°。
（12）多功能鍵盤：帶有操作旋鈕，可直接進行聚焦、放大、消像散、亮度、對比度調(diào)整等操作。
（13）探測器系統(tǒng):高真空二次電子探測器,背散射電子探測器,紅外CCD探測器。
（14）X射線能譜儀:硅漂移探頭，晶體活區(qū)面積≥30mm2。元素分析范圍Be4—U92。能量分辨率：Mn Ka優(yōu)于127eV@20,000CPS,峰背比≥20000:1,譜峰穩(wěn)定性： 1,000cps到100,000cps，Mn Ka分辨率變化及譜峰漂移小于1eV。48小時內(nèi)譜峰漂移<1.5eV。零峰設計，實時修正譜峰，無需手動校準。
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