20納米世代后的裝置對精度和工藝要求非常高，如雙重圖案和3D構造，以及針對新材料相對應的高精密度復雜制程要求，包含后道處理和形成保護膜等。為了對應這類下一代器件工藝，半導體蝕刻裝置9000系列統一了接口并且能夠搭載高精度模塊化的各種腔室，從而實現了對器件的擴展性和柔軟性的工藝。
20納米世代后的裝置對精度和工藝要求非常高，如雙重圖案和3D構造，以及針對新材料相對應的高精密度復雜制程要求，包含后道處理和形成保護膜等。為了對應這類下一代器件工藝，半導體蝕刻裝置9000系列統一了接口并且能夠搭載高精度模塊化的各種腔室，從而實現了對器件的擴展性和柔軟性的工藝。
| 應用晶圓直徑 | 300mm |
|---|---|
| 裝置構成 | 9 chambers (max.) |
|
|
|
|
|
|
*您想獲取產品的資料：
個人信息：
