上海龍松半導體高溫高濕試驗箱適用半導體元器件的研發和工藝改進1、高溫擴散工藝技術的改進（重點是高溫長時間擴散
上海龍松半導體高溫高濕試驗箱適用半導體元器件的研發和工藝改進
1、高溫擴散工藝技術的改進（重點是高溫長時間擴散，如隔離擴散）包括可能引起硅片內部隱裂的工藝技術改進
2、包封工藝技術、框架處理工藝技術的改進
3、塑封料、框架的變更
4、新產品（含新的封裝結構）
5、封裝工藝過程中的污染
上海龍松半導體高溫高濕試驗箱試驗的目的：評估器件在高溫，高濕，條件下對濕氣的抵抗能力，加速其失效進程，同時可附帶評價器件外觀的寢蝕（單純評價器件外觀的寢蝕采用GB/T 4937-1995 第Ⅲ篇 5A）
上海龍松半導體高溫高濕試驗滿足以下標準：
GB/T 4937-1995 第Ⅲ篇 5
GB/T 2423.3-2006
JESD22-A101C
| 設計和技術參數(半導體高溫高濕試驗箱系列） | ||||||||
| 型號 | LS-TH-80 | LS-TH-120 | LS-TH-225 | LS-TH-408 | LS-TH-504 | LS-TH-800 | LS-TH-1000 | |
| 箱體設計 | ||||||||
| 試驗箱內容積（升） | 80 | 120 | 225 | 408 | 504 | 800 | 1000 | |
| 試驗箱內箱容積尺寸 （mm） | 寬（W) | 400 | 450 | 600 | 600 | 700 | 1000 | 1000 |
| 高（H) | 500 | 600 | 750 | 850 | 900 | 1000 | 1000 | |
| 深（T) | 400 | 450 | 500 | 800 | 800 | 800 | 1000 | |
| 試驗箱外箱尺寸 （mm） | 寬（W) | 1020 | 1070 | 1220 | 1220 | 1320 | 1630 | 1630 |
| 高（H) | 1350 | 1450 | 1650 | 1750 | 1800 | 1900 | 1900 | |
| 深（T) | 630 | 680 | 730 | 1030 | 1030 | 1030 | 1230 | |
| 溫度試驗參數 | ||||||||
| 溫度 | ℃ | +150 | ||||||
| 升溫速率（平均） | ℃/min | 5 | ||||||
| 溫度波動度 | ℃ | ±0.3~0.5 | ||||||
| 溫度偏差 | ℃ | ±0.5~2.0 | ||||||
| 溫度校準值 | ℃ | +23和+80 | ||||||
| 濕度試驗參數 | ||||||||
| 溫度范圍 | ℃ | RT+10~+98 | ||||||
| 溫度波動度 | ℃ | ±0.3~0.5 | ||||||
| 溫度偏差 | ℃ | ±0.5~2.0 | ||||||
| 濕度范圍 | %r.h. | 20~+98 | ||||||
| 濕度波動度 | %r.h. | ±1~3.0 | ||||||
| 溫度和濕度校準值 | ℃/% | +23和+125 | ||||||
| r.h | +95和+50 | |||||||
| 供電和連接 | ||||||||
| 額定電壓 | V | 3/N/PE AC 380V ±10% 50Hz | ||||||
| 功率 | KW | 6 | 6.5 | 8 | 10 | 16 | 16 | 18 |
| 箱體凈重 | kg | 300 | 350 | 450 | 500 | 800 | 800 | 850 |
| 備注： 溫度和濕度值的數據采集是在測試室空載的狀況下由傳感器測得 實際測量的溫度值穩定在測量值后，再進行溫度波動的測量 根據特殊使用要求可配置特殊電壓 升溫速度和降溫速度執行標準依據IEC60068-3-5 以上性能指標是再進水口溫度為25℃，電壓為3/N/PE AC 380V 50Hz下測得 | ||||||||
| 此樣本提供的產品概述僅供參考，既不是相關的建議和推薦也不是任何合同的一部分。由于本公司的產品會不斷更新，因此我們保留對技術指標變更的權利，恕不另行通知，謝謝合作。 | ||||||||
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